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长期从事新型光功能材料的基础和应用探索研究,伏线在低维材料、纳米光电子学等方面做出了开创性贡献。此外,行抽蓄黑研究人员展示了在金属箔上分层石墨烯合成的批量生产方法,证明了其技术可扩展性。试验2016年分别获得日经亚洲奖(NikkeiAsiaPrizes);联合国教科文组织纳米科技与纳米技术贡献奖(UNESCOMedalForContributiontotheDevelopmentofNanoscienceandNanotechnologies);2015年获得ChinaNANO奖(首位华人获奖者)。
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主要从事纳米碳材料、次带成功二维原子晶体材料和纳米化学研究,次带成功在石墨烯、碳纳米管的化学气相沉积生长方法及其应用领域做出了一系列开拓性和引领性工作,是国际上具有代表性的纳米碳材料研究团队之一。
对于纯PtD-y供体和掺杂的受主发射,伏线最高的PL各向异性比分别达到0.87和0.82,伏线表明供体的激发各向异性能可以有效地转移到受体上,并具有显著的放大作用。离子缺陷能够调控电子结构,行抽蓄黑从而改善电子传输能力,此外形成的缺位具有很强的LPS吸附能力并提高催化活性。
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区首0千启动缺陷工程和形貌调控的引入是改善上述问题的有效策略。次带成功G)NCO-HS的STEM图像H-J)NCO-HS的元素分布图像。